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光纖連接器研磨原因分析與研磨拋光工藝

時(shí)間:2016-09-18來(lái)源:未知 作者:輝澎 點(diǎn)擊:
內(nèi)容提要: 光纖連接器作為組成光纖系統(tǒng)最重要的光無(wú)源器件之一,在性能上要求其插入損耗更低、回波損耗更高,以提高光纖傳輸系統(tǒng)可靠性。評(píng)價(jià)光纖連接器的質(zhì)量
  

  光纖連接器研磨原因分析與研磨拋光工藝

  一、光纖連接器的研拋的原因。

  光纖連接器作為組成光纖系統(tǒng)最重要的光無(wú)源器件之一,在性能上要求其插入損耗更低、回波損耗更高,以提高光纖傳輸系統(tǒng)可靠性。評(píng)價(jià)光纖連接器的質(zhì)量,需要測(cè)量連接器插針體端面在研磨拋光后的形狀參數(shù),包括曲率半徑、頂點(diǎn)偏移量及纖芯凹陷量等三個(gè)重要參數(shù)。只有使端面形狀參數(shù)保證在一定的范圍之內(nèi),才能保證光纖保持良好的物理接觸;另外,還要盡量去除光纖端面的變質(zhì)層,并測(cè)試光纖端面是否有劃痕或其它污損。最后要滿足插入損耗低、回波損耗高的性能。因此,光纖連接器的研磨與拋光過(guò)程對(duì)提高其光學(xué)性能非常關(guān)鍵。

  二、光纖連接器研拋工藝。光纖研磨加工過(guò)程是研磨砂紙表面眾多單個(gè)磨粒于光纖表面綜合作用結(jié)果。

  四部研磨法:去膠包——粗研磨——半精研磨——精研磨——拋光

  (1)對(duì)于外包是陶瓷套管的光纖連接器,如 FC 型、SC 型、ST 型、LC 型的光纖連接器主要采用金剛石系列的研磨片進(jìn)行研磨,用 ADS 進(jìn)行拋光。研磨工藝:SC30/15-D9-D6-D3-D1-ADS/氧化鈰拋光膜+SiO2拋光液;或SC30/15-D9-D3-D1-ADS/氧化鈰拋光膜+SiO2拋光液;或SC30/15-D9-D1-ADS/氧化鈰拋光膜+SiO2拋光液。其中SC30/15 碳化硅研磨片用于去膠包;D9 或D6 或D3 金剛石研磨片用于粗研磨;D1 金剛石研磨片用于半精磨磨;D0.5 金剛石研磨片用于精磨。ADS/氧化鈰拋光膜+SiO2拋光液用于拋光。研磨墊采用橡膠墊。

  (2)APC 陶瓷套管的光纖連接器,研磨過(guò)程中首先需要大粒度金剛石研磨紙開斜面,之后在用 D9-D1-ADS 研拋。

  (3)對(duì)于外包是塑料套管的光纖連接器,如 MT-RJ 類的光纖連接器研磨工藝:SC30/15-SC9-SC6-SC3-SC1,用黑皮+氧化鈰研磨液進(jìn)行拋光;研磨墊采用玻璃墊。

  注意:

  (1)在研拋的過(guò)程中,每一步研磨完要用純凈水及無(wú)塵擦拭紙將插針體端面清洗干凈;

  (2)研拋過(guò)程中一般用水作為研磨介質(zhì);

  (3)研拋定位定位時(shí)應(yīng)注意等高,否則會(huì)造成長(zhǎng)度不一。定位時(shí)研磨盤和插針要保持垂直,否則會(huì)造成凸球面偏移量不良(偏心);

  (4)因各家廠商插針不同而影響研拋參數(shù);

  (5)研磨用的研磨紙要比工件硬,而拋光用的拋光片要比工件軟。

  3、光纖連接器研拋常見的缺陷

  (1)裂纖

  光纖局部或全部出現(xiàn)深度斷裂,斷口齊整光滑,端檢儀上顯示為大黑塊。

  產(chǎn)生原因:

  A:插芯頭上的保護(hù)膠太大、太厚或太小,研磨時(shí)整塊脫落,光纖局部應(yīng)力過(guò)大,導(dǎo)致脆性斷裂。

  B:研磨機(jī)轉(zhuǎn)速過(guò)快或者研磨過(guò)程不平穩(wěn),光纖承受應(yīng)力過(guò)大且不均勻,導(dǎo)致裂纖。

  (2)黑點(diǎn)、白點(diǎn)

  黑點(diǎn)和白點(diǎn)都是凹坑,黑點(diǎn)是深凹坑、白點(diǎn)是淺凹坑。

  產(chǎn)生原因:

  A:D1 研磨紙切削力不夠,或者上一道太粗糙,以至于不能修復(fù);

  B:D1 或拋光片中有大顆粒雜質(zhì),導(dǎo)致光纖損傷,出現(xiàn)凹坑;

  C:D1 或拋光片涂層脫落,夾雜在插芯與研磨片之間,光纖因局部應(yīng)力過(guò)大,出現(xiàn)凹坑;

  D:研磨機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)不平穩(wěn),或研磨過(guò)程混入雜質(zhì),導(dǎo)致光纖因局部應(yīng)力過(guò)大,出現(xiàn)凹坑。

  (3)黑邊

  光纖與陶瓷連接處出現(xiàn)顏色較深的黑環(huán),實(shí)質(zhì)上是光纖邊緣及環(huán)氧膠斷裂較深,應(yīng)反光差異,發(fā)黑。

  A:D1 研磨力過(guò)大,導(dǎo)致光纖邊緣及環(huán)氧膠出現(xiàn)崩裂,拋光不能修復(fù);

  B:D1 研磨片粉料脫落嚴(yán)重,造成滾動(dòng)研磨,導(dǎo)致光纖邊緣及環(huán)氧膠出現(xiàn)崩裂,拋光不能修復(fù);

  C:D1 研磨力太弱,上道研磨造成的邊緣凹坑 不能徹底修復(fù),拋光也不能修復(fù);

  D:研磨機(jī)轉(zhuǎn)速過(guò)快、或壓力過(guò)大。

  (4)燒焦

  插芯端面粘上一層較厚的物質(zhì)(磨屑和膠混合物),基本看不到光纖。

  A:研磨壓力較大,橡膠墊硬度高,研磨片在研磨壓力作用下,研磨后期涂層表面的磨料大大減少,切削力嚴(yán)重下降;

  B:涂層軟化點(diǎn)低,在研磨力作用下膠黏劑發(fā)粘,涂層表面粘有大量磨屑,最終轉(zhuǎn)移到插芯端面,造成燒焦現(xiàn)象。

  (5)劃痕

  插芯端面出現(xiàn)黑直線或白直線,黑直線為深劃傷痕,白直線為淺劃傷痕。

  A:研磨片里有雜質(zhì)等異常大顆粒,或研磨片表面不平整,導(dǎo)致光纖局部受力大,切削深度大而造成劃痕;

  B:研磨壓力小,研磨機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)不平穩(wěn),導(dǎo)致局部應(yīng)力過(guò)大,切削深度大而造成劃痕;

  C:研磨片存在開刃現(xiàn)象,表面很硬且不夠平整,導(dǎo)致局部應(yīng)力過(guò)大,切削深度大而造成劃痕;

  D:拋光片異常造成,拋光片中二氧化硅顆粒團(tuán)聚,或拋光片無(wú)切削力。

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