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電荷耦合器件

時間:2010-12-30來源:輝鵬網(wǎng)絡(luò) 作者:hpn 點擊:
內(nèi)容提要: 電荷耦合器件是能在不同的內(nèi)部部件之間進行電荷的存儲和移出的半導(dǎo)體器件, 固體成像、信號處理和大容量存儲器是電荷耦合器件的三大主要用途。
  

 

  電荷耦合器是能在不同的內(nèi)部部件之間進行電荷的存儲和移出的半導(dǎo)體器件, 固體成像、信號處理和大容量存儲器是電荷耦合器件的三大主要用途。

  一、什么是電荷耦合器件?

  電荷耦合器件是能在不同的內(nèi)部部件之間進行電荷的存儲和移出的半導(dǎo)體器件。電荷耦合器件是一種用于探測光的硅片,比傳統(tǒng)的底片更能敏感的探測到光的變化。是用電荷量來表示不同狀態(tài)的動態(tài)移位寄存器,由時鐘脈沖電壓來產(chǎn)生和控制半導(dǎo)體勢阱的變化,實現(xiàn)存儲和傳遞電荷信息的固態(tài)電子器件。英文簡稱 CCD 。耦合器銷售熱線:400-880-1981【相關(guān)產(chǎn)品推薦:ST多模耦合器、SC單模耦合器、FC單模耦合器

  二、電荷耦合器件的原理

  由時鐘脈沖電壓來產(chǎn)生和控制半導(dǎo)體勢阱的變化,實現(xiàn)存儲和傳遞電荷信息的固態(tài)電子器件。實際上電荷耦合器件 (CCD)是一種用電荷量來表示不同狀態(tài)的動態(tài)移位寄存器。CCD的雛形是在N型或 P型硅襯底上生長一層二氧化硅薄層,再在二氧化硅層上淀積并光刻腐蝕出金屬電極,這些規(guī)則排列的金屬-氧化物-半導(dǎo)體電容器陣列和適當?shù)妮斎、輸出電路就?gòu)成基本的 CCD移位寄存器。對金屬柵電極施加時鐘脈沖,在對應(yīng)柵電極下的半導(dǎo)體內(nèi)就形成可儲存少數(shù)載流子的勢阱?捎霉庾⑷牖螂娮⑷氲姆椒▽⑿盘栯姾奢斎雱葳濉H缓笾芷谛缘馗淖儠r鐘脈沖的相位和幅度,勢阱深度則隨時間相應(yīng)地變化,從而使注入的信號電荷在半導(dǎo)體內(nèi)作定向傳輸。CCD 輸出是通過反相偏置PN結(jié)收集電荷,然后放大、復(fù)位,以離散信號輸出。

  三、電荷耦合器件的用途及應(yīng)用

  固體成像、信號處理和大容量存儲器是電荷耦合器件的三大主要用途。CCD信號處理兼有數(shù)字和模擬兩種信號處理技術(shù)的長處,在中等精度的雷達和通信系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用 。CCD還可用作大容量串行存儲器,其存取時間、系統(tǒng)容量和制造成本都介于半導(dǎo)體存儲器和磁盤、磁鼓存儲器之間。


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